无尘室/无尘车间系统日常操作规范
无尘室系统
使用操作方法
1.首先打开控制器面板上的【电热运转】、【加压风车运转】、【浴尘室运转】、【排气风车运转】等开关。
＊温度控制器及湿度控制器可由黄色钮调整，一般温度控制为20℃ DB ，湿度控制为50% RH。
＊左侧的控制器面板上电压切换开关为【RU】，电流切换开关为【T】。右侧的控制器面板上电压切换开关为【RS】，电流切换开关为【OFF】。
2.将箱型空气调节机的送风关关打开，等送风稳定后再将冷气暖气开关打开，此时红色灯会亮起，表示正常运作。
＊冷气的起动顺序为压缩机【NO.2】。
＊温度调节为指针指向红色暖气【5】。
＊分流开关AIR VALVE 为【ON】。
3.无尘室使用完毕后，要先将箱型空气调节机关闭，按【停止】键即可。
4.再将控制器面板上的【电热运转】、【加压风车运转】、【浴尘室运转】、【排气风车运转】等开关依序关闭。
气体钢瓶
使用操作方法
1.用把手逆时针打开气体钢瓶到底，将【OUTLET】打开PURGE关闭。
2.由黑色转钮调整气体钢瓶的压力(psi)，顺时针方向为增加，逆时针方向为减少。
3.将N2钢瓶调整为40psi（黄光室内为20psi）,AIR钢瓶调整为80psi（黄光室内为60psi）。
4.气体钢瓶使用完毕后，用把手顺时针关闭气体钢瓶到底，将【OUTLET】关闭【PURGE】打开将管路内的气体排出后将【PURGE】关闭。
纯水系统
使用操作方法
1.阀门控制
(1)阀门(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19应保持全开。
(2)阀门V5、V7、V11、V18、V21应保持全关。
(3)阀门V9、V20为调压作用，不可全开或全关。
(4)阀门中V5为砂滤机之BY-PASS，V15为U.V灯之BY-PASS，V18为DI桶之BY-PASS，V21为RO膜之BY-PASS。
2.自动造水
3.系统用水
将控制箱上之【夜间循环-停-用水】切换开关切换至【用水】，此时PUMP3输送泵浦激活，TANK内之纯水经帮浦输送至U.V、DI桶及精密过滤后，供现场各使用点使用。
4.夜间循环
(1)停止供水59分钟后，系统再自动供水1分钟。
(2)此后每隔59分钟供水循环1分钟至夜间循环【停】为止。
5.系统侦测
另外，控制箱(机房)附有二段式LED导电度显示屏，原水及产水分别切换显示。
6.系统维护
(1)砂滤机应定期逆时。
(2)预滤应每1-2个月更新。
(3)膜管应视其去除率及产水量做必要之清洗或更新。
(4)树脂混床视比电阻值更新。
(5)精密过滤约每2-4个月更新。
7.故障排除
现象可能因素排除方法
系统停机、系统无法激活 1. 外电源异常2. 系统运转开关未按下3. 系统电路故障4. 马达/泵浦故障 1. 检查系统电源电路2. 按下系统运转开关3. 通知厂商4. 更新马达/泵浦
低产水量 1. 膜管排水量太高2. 压力不足3. 膜管阻塞 1. 调整排水阀V92. 清洗膜管或更新膜管
低比电阻 1. 树脂功能下降2. RO去除率下降 1. 更换树脂2. 更换RO膜组
光罩对准机
使用操作方法
曝光机简介
在半导体制程中，涂布光阻后的芯片，须经UV紫外光照射曝光显影，此台曝光机为OAI 200系列，整合光罩对准、UV紫外光曝光显影、UV紫外光测量装置及光罩夹持装置。
OAI 200系列为一入门型光罩对准仪，可以手动操作更改各项使用参数，如曝光时间、曝光强度及曝光功率等等。对于中高阶的线宽有很好的显影效果，此系列最大可使用四吋的芯片，最大的曝光功率为1KW。
曝光机使用步骤
1.检查氮气钢瓶〈AIR 60psi〉〈N2 20psi〉以及黄光室的氮气阀、空气阀是否有开启。开启曝光机下方延长线的红色总开关，再开启曝光机、显微镜。
2.接上隧道式抽风马达电源，进行曝光机抽风步骤，并检查曝光机上方汞灯座后面进风口是否有进气。如果风量微小或者无进气，则无法开启汞灯的电源〈会有警报声〉。确定进风口有进气后，才可开启曝光机下方的汞灯电源供应器ON/OFF开关。
3.按住汞灯电源供应器之START键，约1~3秒钟，此时电流值会上升〈代表汞灯点亮，开始消耗电流〉，马上放掉按键，汞灯即被点亮。
4.汞灯点亮后，至少须待机30分钟，使Lightsource系统稳定。假使汞灯无法点亮，请不要作任何修护动作。
5.待系统稳定后，把电源供应器上的电压、电流值填到纪录表上，每一次开灯使用都要登记作为纪录。
6.旋开光罩夹具之螺丝，光罩之正面〈镀铬面〉朝下，对准三个基准点，压下【MASK VAC.】键，使真空吸住光罩，再锁好螺丝以固定光罩。
＊ MASK Holder 必须放下时才能放置光罩。扳动【MASK FRAME UP/DOWN】可使MASK Holder升起或放下。
＊ 先用氮气吹光罩和MASK Holder，光罩正面朝下，对准黑边铁框，手勿接触光罩，压下【MASK VAC.】键，使真空吸住光罩，锁上旁边两个黑铁边。
＊ 检查放置芯片的圆形基座CHUNK是否有比光罩低些，防止光罩压破芯片。
7.扳起【MASK FRAME UP/DOWN】键，使MASK Holder上升，放置芯片到CHUNK上，将【SUB VAC.】键扳至ON，使真空吸住芯片，扳下【MASK FRAME UP/DOWN】键，使MASK Holder放下。
8.扳动台边钮(Ball Lock Button)为Unlock，顺时针方向慢慢旋转旋转钮(Z knob)，使芯片基座上升，直到传动皮带感觉已拉紧即可，然后逆时针旋转Z Knob约15格，扳动台边钮(Ball Lock Button)为Lock。
＊ Z knob 每格约15 microns。
＊ 逆时针方向旋转Z knob，会使放置芯片基座下降，其目的是为了作对准时，让芯片和光罩有些许的距离，使芯片与光罩不会直接摩擦。
＊ 若不须对准时，可以不使用逆时针方向旋转Z knob。
＊ 旋转Z knob时，不论顺时针或逆时针转动，当皮带打滑时，代表芯片基座已和光罩接触，此时不可逆时针旋转，而导致内部螺栓松脱。
＊ CHUNK ¨ Z ¨ ADJUST一般为15A~20 A之间，且电流越小皮带越松。
9.移动显微镜座，至光罩上方，作芯片与光罩的对准校正。如须调整芯片的位置，可使用芯片基座旁的微调杆，校正芯片座X、Y及θ。
10.
100 SEC
1000 SEC
RESET
EXPOSE
SEC
＊ 曝光秒数有两种设定，一种为1000SEC，一种为100SEC。当按下1000SEC时，计数器最大可设999秒的曝光时间；按下100SEC时，计数器最大可设99.9秒的曝光时间。
＊ 再设定曝光秒数时要先测量汞灯的亮度，先按LAMP TEST再按住把手上的按钮移动基座至曝光机左端底，后然将OAI 306 UV POWERMETER放置于CHUNK上即可，完毕后按RESET，而且可多测几个不同的位置，观看汞灯的亮度是否均匀，所测得的单位为mw/cm2 ，乘时间(SEC)即变可mJ的单位。
11.设定好曝光秒数后，即可进行曝光的程序。扳动【CONTACT VAC.】至ON，【N2 PURGE】至ON，则芯片和光罩之间会产生些许的真空。
＊【CONTACT VAC ADJUST】的范围一般为红色-25kpa 左右。
12.按住把手上的按钮，此时基座才可移动，移至曝光机左端底，放开按钮，则曝光机会自动进行曝光的动作。
13.曝光完成后，即可将基座移回曝光机右端。扳动扳动【N2 PURGE】为OFF。再扳动【CONTACT VAC.】至OFF，仪器会充氮气破光罩与芯片间的真空，方便使用者拿出芯片。
14.逆时针旋转Z knob，降下芯片基座至最低点。松开光罩固定的黑边铁框，拉起【MASK VAC.】钮，即可破除MASK Holder的真空，光罩即可取出。
15.扳起【MASK FRAME UP/DOWN】为UP，使MASK Holder升起。扳动【SUB VAC.】为OFF，使用芯片夹取出芯片，再扳【MASK FRAME UP/DOWN】为DOWN。
16.如须进行再一次的曝光，则可重复上述步骤。
17.完成所有的曝光程序后，先关掉显微镜光源产生器，再关掉汞灯电源供应器。〈关灯后一小时内不可再开启汞灯，已延长汞灯寿命〉
18.先关隧道式抽风马达电源，关掉曝光机的开关【SYSTEM ON/OFF】为OFF，再关掉曝光机下方的延长线总开关。待曝光机冷却后，最后再关掉墙上氮气阀及空气阀。
热蒸镀机
使用操作方法
A.开机步骤
1.开机器背面的总电源开关。
2.开冷却水，需先激活D.I Water 系统。
3.开RP，热机2分钟。
4.开三向阀切至F.V的位置，等2分钟。
5.开DP，热机30分钟(热机同时即可进行Sample 之清洗与装载，以节省时间)。
B.装载
1.开Vent，进气之后立刻关闭。
2.开Chamber。
3.Loading Sample、Boat及金属。
4.以Shutter挡住Sample。
5.关Chamber，关门时务必注意门是否密合，因机器年久失修，通常须用手压紧门的右上角。
C.抽真空
1.初抽
(1)三向阀切至R.V位置(最好每隔几分钟就切换到F.V一下，以免DP内的帮浦油气分子扩散进入chamber中)。
(2)真空计VAP-5显示至5′10-2 torr时三向阀切至F.V，等30秒。
2.细抽
(1) M.V ON，记录时间。
(2) ION GAUGE ON，压下Fil 点燃灯丝(需要低于10-3 Torr以下才抽气完成)。
D.蒸镀
1.压力约2′10-5 Torr时，开始加入液态氮。
2.压力低于2′10-6 Torr时，记录压力及抽气时间并关掉ION GAUGE。
3.Heater Power ON (确定Power调整钮归零)。
4.选择BOAT1 or BOAT2。
5.蒸镀开始，注意电流需慢慢增加。
＊镀金时，仪表上电流约100A，镀Al时电流可稍微小些，约70~80A。
＊当BOAT高热发出红光时，应立即关闭观景窗，以免金属附着在观景窗的玻璃上。
＊空镀几秒将待镀金属表面清干净后即可打开Shutter，开始蒸镀。
＊蒸镀完成后，立刻关闭Heater Power，等10~15分钟让BOAT冷却及蒸镀后的金属冷却，避免立即和空气接触而氧化，才可vent破真空。
E.破真空
1.Substrate Hold温度需要降至常温。
2.ION GAUGE 【POWER】OFF。
3.M.V OFF。
4.DP OFF 冷却30~60分钟。
5.开Vent(进气后立刻关闭)。
6.开Chamber，取出Sample及BOAT。
7.关Chamber，注意将门关紧。
F.关机
1.关F.V。
2.开R.V，抽至0.01 Torr之后关闭。
3.开F.V，30秒后三向阀切至关闭之位置。
4.RP OFF。
5.关总电源。
6.关冷却水。
7.关氮气。
＊蒸镀时，电流应缓慢增大，且不可太大，以免金属在瞬间大量气化，使厚度不易控制。
＊若接续他人使用，液态氮可少灌一点儿，约三分之一筒即可。
氧化炉管
使用操作方法
氧化炉管简介
本实验室所采用之氧化炉管为Lenton LTF 1200水平管状式炉子，可放2英吋硅晶圆，加热区大于50cm，最高温度可达1200°C并可连续24hr，最大操作温度为1150°C，温控方式采用PID微电脑自动温度控制器。
目的
将硅芯片曝露在高温且含氧的环境中一段时间后，我们可以在硅芯片的表面生长一层与硅的附着性良好，且电性符合我们要求的绝缘体-SiO2。
＊在开启氧化炉之前，必须先确定【HEAT】Switch设定为【O】关闭的状态。Switch在有电源供应时【l】将会发光，而氧化炉也将开始加热。
＊如果过温保护装置是好的，请确定警报点的设定于目前的使用过程中为恰当地。如果过热保护装置是好的，蜂呜器会有声音，在过温控制操作中有警报一致的程序。
＊为了改善石英玻璃管或衬套热量的碰撞，其加热速率最大不能超过3°C per min。
＊为了减少热流失，必须确定正确的操作程序，适当的使用绝缘栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。
＊在操作氧化炉时不要在最大温度下关闭氧化炉，以延长氧化炉的寿命。
1.检查前一次操作是否有异常问题发生，并填写操作记录。
2.检查机台状态
3.将芯片缓慢的推入炉管内。
4.打开墙上H2、O2之开关和机房的气瓶调压阀。
5.设定预设气体（H2 、O2）流量值及炉温。
6.按下【HEAT】Switch 为【l】，此时炉温将从恒温(400°C)慢慢加热至标准制程温度1100°C，升温速率最大不能超过3°C per min。
7.待炉温降至恒温后将芯片取出。
8.关闭H2、O2 。
9.关闭炉管后端H2之开关及墙上之开关和机房的气瓶调压阀。
10.检查炉管是否完成关机动作。
11.填写操作记录之终了时间和异常保护及说明。
涂布机
使用操作方法
1.首先将PUMP的电源插头插入涂布机后面的电源插座。
2.将涂布机的插头插入110V的电源插座，然后按下【POWER】键。
3.设定旋转的转速及时间，本机型为二段式加速的Spin Coating，右边为第一段加速，左边为第二段加速。
4.依不同尺寸的基材，可更换不同的旋转转盘做涂布的动作。
5.按下【PUMP】键，此时旋转转盘会吸住基材，然后将光阻依螺旋状从基材中心均匀且慢慢的往外涂开至适当的量，在做光阻涂开动作时可先用氮气将旋转转盘周围及基材吹干净。
6.盖上涂布机的保护盖，以防止光阻溅出涂布机外。
7.按下【START】键，涂布机便开始做涂布的动作。
8.涂布完毕后，打开保护盖，按下【PUMP】键旋转转盘会放开基材，便可以将基材取出。
热风循环烘箱
使用操作方法
1.本机使用电压110V/60HZ。
2.确认电压后，将电源线插入110V的插座。
3.打开【POWER】开关，此时温度表PV即显示箱内实际温度。
4.首先按【SET】键? ，SV会一直闪烁此时即可开始设定温度，而SV的字幕窗会呈现高亮度，在高亮度的位置可设定所需的温度，只要再按【SET】键? 高亮度会随之移动，在高亮度的地方即可设定温度。
5.按上移键▲表示温度往上递增，按下移键▼则温度往下递减。
6.当完成以上设定温度之后(SV仍闪烁不停)此时只要按一次【ENT】键SV即呈现刚才所设定的温度(PV显示实际温度)。
7.加热灯OUT显示灯亮时表示机器正在加热中，而到达设定点时OUT会一闪一烁(正常现象)。
8.AT灯亮时表示温度正自动演算中。
9.ALM-1红色灯亮时表示温度过热(温度会自动降温)。
10.ALM-2红色灯亮时表示温度过低(温度会自动加温)。